Spin transport across oxide semiconductors and antiferromagnetic oxide interfaces

Nieuwe elektronica met complexe oxiden

Complexe oxiden hebben bijzondere eigenschappen waardoor ze bruikbaar zijn voor het maken van materialen voor nieuwe soorten elektronica., Door een sterk gecorreleerd samenspel van spin-, orbitale en roostervrijheidsgraden in materialen, zowel in hun bulk als aan hun hetero-grensvlakken, ontstaan nieuwe verschijnselen in deze complexe oxiden, die vaak anders zijn dan die in andere materiaalsystemen. Die verschijnselen ontstaan uit interacties van de roostervervorming, geïnduceerde spanning en verschillende soorten symmetriebreking, waardoor controle van de oxide-interfaces mogelijk is. Dit heeft geleid tot de waarneming van onconventioneel elektronisch transport, magnetisme, ferro-elektriciteit en supergeleiding.

Arijit Das bestudeerde in zijn promotieonderzoek functioneel belangrijke complexe oxideplatforms voor spintransport en verkende, (i) Integratie van niet-vluchtige geheugenfunctionaliteiten op complexe oxidehalfgeleidende Nb-gedoteerde SrTiO₃ (STO) voor complementair geheugen en logische werking, (ii) Magnetische eigenschappen onderzoeken in dunne lagen antiferromagnetische isolator SrMnO₃ (SMO), met de bedoeling ze te integreren voor toekomstige antiferromagnetische spintronica en magnonische toepassingen op basis van complexe oxiden.

Het promotieonderzoek van Arijit Das  vond plaats bij de afdeling Fysica van Nano Devices van het Zernike Institute for Advanced Materials met financiering via ZIAM en RUG. Hij werkt nu als postdoc aan de RUG.

Proefschrift: http://hdl.handle.net/11370/f3988d85-b7a4-4578-94d5-3a610247ff76