Skip to ContentSkip to Navigation
Over onsNieuws en agendaEvenementen en open dagenPromoties

Promotie dhr. S. Parui: Hot electron transport in metallic spin valve and graphene-silicon devices at the nanoscale

Wanneer:vr 06-09-2013 om 12:45

Promotie: dhr. S. Parui, 12.45 uur, Academiegebouw, Broerstraat 5, Groningen

Proefschrift: Hot electron transport in metallic spin valve and graphene-silicon devices at the nanoscale

Promotor(s): prof.dr. T. Banerjee, prof.dr.ir. B.J. van Wees

Faculteit: Wiskunde en Natuurwetenschappen

Nanotechnologie kan de Wet van Moore redden

Over de Wet van Moore, die voorspelt dat ontwikkelingen binnen de halfgeleiderindustrie elke twee jaar verdubbelen, is gezegd dat deze trend afneemt tegen het einde van 2013. Om de trend toch door te zetten heeft de International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) haar pijlen gericht op nieuwe materialen met nieuwe of meerdere functionaliteiten en nieuwe methodes om de nanoschaal eigenschappen te onderzoeken.

De spintronica op de nanoschaal biedt nieuwe mogelijkheden voor devices van de `Beyond Moore' technologie. Grafeen, een twee-dimensionaal materiaal gemaakt van één laag koolstofatomen, gerangschikt in een honingraatstructuur, blijkt een veelbelovend materiaal voor spintronisch onderzoek. Spintronische, elektronische en optoelektronische devices brengen noodzakelijkerwijs het transport van ‘hete’ elektronen (hot carriers ) met zich mee. Hete elektronen worden vaak gebruikt om verschillende aspecten te bestuderen van spin-afhankelijk transport en om de relevante transportparameters en verstrooiing mechanismen te karakteriseren in verschillende transitie-metaal ferromagneten en normale metalen in spintronica devices gebaseerd op halfgeleiders.

Het onderzoek beschreven in het proefschrift van Subir Parui heeft als doel het doorgronden van heet elektron transport in metallische spin valves en grafeen-silicium devices op de nanoschaal. De gepresenteerde resultaten geven nieuwe inzichten in zowel spin-onafhankelijke en spin-afhankelijke verstrooiing van hete elektronen in diverse spintronische devices. Het Gr/Si grensvlak wordt als uniek beschouwd, met verscheidene nieuwe fenomenen die nog niet eerder zijn onderzocht. De techniek voor karakterisatie op nanoschaal, die in dit proefschrift gebruikt wordt, zal een belangrijke vereiste blijven voor het fabriceren en bestuderen van vaste stof devices.

Subir Parui (India, 1986) studeerde natuurkunde aan het Indian Institute of Technology Kanpur. Het onderzoek werd uitgevoerd aan het Zernike Institute for Advanced Materials van de RUG. Parui gaat door als postdoc bij onderzoekscentrum CIC nanoGUNE (Spanje).

printOok beschikbaar in het: English