Skip to ContentSkip to Navigation
Over onsNieuws en agendaNieuwsberichten

Device physics of organic field-effect transistors

07 september 2012

Promotie: dhr. J.J. Brondijk, 16.15 uur, Academiegebouw, Broerstraat 5, Groningen

Proefschrift: Device physics of organic field-effect transistors

Promotor(s): prof.dr. D.M. de Leeuw, prof.dr. P.W.M. Blom

Faculteit: Wiskunde en Natuurwetenschappen

Informatieopslag en ladingstransport in organische halfgeleiders

De meeste huidige elektronische circuits zijn gebaseerd op traditionele anorganische halfgeleiders, voornamelijk silicium. Silicium heeft goede elektronische eigenschappen, maar is ook duur en breekbaar. Naast anorganische halfgeleiders bestaan er ook organische (plastic) halfgeleiders. Deze flexibele en oplosbare materialen kunnen verwerkt worden over grote oppervlaktes met bestaande printtechnieken. Hierdoor zijn organische halfgeleiders uitermate interessant voor goedkope, flexibele toepassing zoals elektronische streepjescodes of flexibele beeldschermen.

De fundamentele bouwsteen van ieder elektronisch circuit is de veld-effecttransistor. Om de organische elektronica verder te ontwikkelen is een grondig begrip van deze bouwsteen essentieel. Het proefschrift van Johan Brondijk behandelt een aantal cruciale aspecten van de natuurkundige werking van organische veld-effecttransistors, namelijk het ladingstransport in de organische halfgeleider, de ladingsinjectie van de contacten naar de halfgeleider en de invloed van de transistorgeometrie op het ladingstransport.

Het eerste resultaat richt zich op geheugen. Geheugen is cruciaal voor bijvoorbeeld elektronische streepjescodes, die informatie moeten opslaan en verzenden. Een ferro-elektrische organische transistor (FeFET) kan als geheugenelement gebruikt worden. In dit type organische transistor is een ferro-elektrische laag opgenomen die gepolariseerd kan worden, resulterend in een herschrijfbaar geheugenelement met twee stabiele toestanden: aan of uit. Ondanks recente technologische ontwikkelingen staat het begrip van de organische FeFET’s nog in de kinderschoenen. In het proefschrift wordt voor de eerste keer een model ontwikkeld dat het polarisatie-afhankelijke elektrische transport in een organische FeFET beschrijft.

Het tweede belangrijke resultaat volgt uit het bestuderen van het effect van ladingsopsluiting op het ladingstransport in organische transistors. Opsluiting werd experimenteel bereikt door het gebruik van een halfgeleiderlaag van slechts één molecuul dik. Het tweedimensionaal opsluiten van lading geeft toegang tot een niet eerder onderzocht ladingstransportregime en zien we terug in een verminderde temperatuurafhankelijkheid van de elektrische karakteristieken van organische monolaagtransistors.

Johan Brondijk (Meppel, 1981) studeerde technische natuurkunde in Groningen. Het onderzoek werd uitgevoerd bij het Zernike Institute for Advanced Materials van de RUG en gefinancierd door de EU. Brondijk is na het afronden van het onderzoek gaan werken bij NXP Semiconductors.

Laatst gewijzigd:15 september 2017 15:42
printView this page in: English

Meer nieuws

  • 22 januari 2019

    NNV-Diversiteitsprijs 2018 voor de Faculty of Science and Engineering

    De eerste editie van de NNV-Diversiteitsprijs is gewonnen door de Faculty of Science and Engineering van de Rijksuniversiteit Groningen. De NNV heeft de prijs in het leven geroepen voor de natuurkunde-instelling die het succesvolst is in het in de praktijk...

  • 16 januari 2019

    Twee jonge onderzoekers naar topinstituten met Rubiconbeurs

    Dr. Michael Lerch en Sanne van Dijk, twee veelbelovende RUG-wetenschappers, gaan dankzij het programma Rubicon van de Nederlandse Organisatie voor Wetenschappelijk Onderzoek (NWO) twee jaar onderzoek doen aan buitenlandse topinstituten.

  • 14 januari 2019

    RUG-student Boomstra opnieuw wereldkampioen dammen

    Roel Boomstra heeft voor de tweede keer de wereldtitel dammen gewonnen. Hij nam het op tegen viervoudig wereldkampioen Alexander Schwarzman. In 2016 veroverde Roel Boomstra de wereldtitel ook al. Boomstra is masterstudent Physics aan de Rijksuniversiteit...