Publication

Domain walls and their conduction properties in ferroelectric BiFeO3 thin films

Farokhipoor, S., 2013, Groningen: s.n.. 122 p.

Research output: ThesisThesis fully internal (DIV)Academic

APA

Farokhipoor, S. (2013). Domain walls and their conduction properties in ferroelectric BiFeO3 thin films. Groningen: s.n.

Author

Farokhipoor, Saeedeh. / Domain walls and their conduction properties in ferroelectric BiFeO3 thin films. Groningen : s.n., 2013. 122 p.

Harvard

Farokhipoor, S 2013, 'Domain walls and their conduction properties in ferroelectric BiFeO3 thin films', Doctor of Philosophy, Groningen.

Standard

Domain walls and their conduction properties in ferroelectric BiFeO3 thin films. / Farokhipoor, Saeedeh.

Groningen : s.n., 2013. 122 p.

Research output: ThesisThesis fully internal (DIV)Academic

Vancouver

Farokhipoor S. Domain walls and their conduction properties in ferroelectric BiFeO3 thin films. Groningen: s.n., 2013. 122 p.


BibTeX

@phdthesis{26af637d07654234a3825973a0d28614,
title = "Domain walls and their conduction properties in ferroelectric BiFeO3 thin films",
abstract = "Geleidingseigenschappen BiFeO3 onderzocht In haar proefschrift behandelt Saeedeh Farokhipoor geleidingseigenschappen van BiFeO3, een materiaal waarvan typisch isolerend gedrag verwacht mag worden. Het onderzoek naar BiFeO3 staat recent in de belangstelling. Het is namelijk {\'e}{\'e}n van de weinige materialen die bij kamertemperatuur een sterke materiaalrespons vertoont in zowel een aangelegd elektrisch- als een magnetisch veld. BiFeO3 kan in dunne lagen onder roosterspanning worden gegroeid op een substraat met een kristalrooster dat een fractie groter of kleiner is. Zo kunnen kristaldomeinen (gebiedjes met verschillende kristalori{\"e}ntaties) op controleerbare wijze worden gevormd. Deze domeinen verminderen de elastische energie door specifieke patronen te vormen van loodrechte domeinen met periodieke domeinwanden. Dit is van belang, aangezien de domeinwanden van BiFeO3 een hogere geleiding vertonen, vergeleken met de domeinen zelf. Dunne films kunnen dus eigenlijk worden beschouwd als zelf geassembleerde nano-devicestructuren die gevormd worden door isolerende domeinen met een grootte van ongeveer 200 nm (500 keer kleiner dan een mensenhaar) en geleidende domeinwanden. We hebben de mechanismen onderzocht die geleiding in BiFeO3 domeinwanden veroorzaken met behulp van een microscoop met metalen elektrodenaald die op atomaire schaal het oppervlak aftast. We hebben ontdekt dat elektronen ter hoogte van de domeinwanden een verlaagde energiebarri{\`e}re ondervinden, omdat juist daar een sterk tekort aan zuurstofatomen in het BiFeO3 rooster heerst. Dankzij dit inzicht zijn we in staat om het geleidingsniveau van domeinwanden sterk te be{\"i}nvloeden. Bovendien kunnen de domeinen zelf geleidend gemaakt worden door de elektrische polarisatie van BiFeO3 te schakelen (het zogenaamde ferro-elektrische weerstand schakelen). Dit effect maak BiFeO3 zeer geschikt voor permanente geheugenopslag.",
keywords = "Proefschriften (vorm), Epitaxie, Atomic Force Microscopy, R{\"o}ntgendiffractie, Domein (wiskunde), IJzeroxide, Ferro-elektrische materialen, Bismuthoxide, Elektrische geleiding, grenslagen en dunne lagen, elektronisch transport in gecondenseerde materie, elektronenstructuur en elektrische eigenschappen van oppervl",
author = "Saeedeh Farokhipoor",
note = "Relation: https://www.rug.nl/ Rights: University of Groningen",
year = "2013",
language = "English",
isbn = "9789036761376",
publisher = "s.n.",

}

RIS

TY - THES

T1 - Domain walls and their conduction properties in ferroelectric BiFeO3 thin films

AU - Farokhipoor, Saeedeh

N1 - Relation: https://www.rug.nl/ Rights: University of Groningen

PY - 2013

Y1 - 2013

N2 - Geleidingseigenschappen BiFeO3 onderzocht In haar proefschrift behandelt Saeedeh Farokhipoor geleidingseigenschappen van BiFeO3, een materiaal waarvan typisch isolerend gedrag verwacht mag worden. Het onderzoek naar BiFeO3 staat recent in de belangstelling. Het is namelijk één van de weinige materialen die bij kamertemperatuur een sterke materiaalrespons vertoont in zowel een aangelegd elektrisch- als een magnetisch veld. BiFeO3 kan in dunne lagen onder roosterspanning worden gegroeid op een substraat met een kristalrooster dat een fractie groter of kleiner is. Zo kunnen kristaldomeinen (gebiedjes met verschillende kristaloriëntaties) op controleerbare wijze worden gevormd. Deze domeinen verminderen de elastische energie door specifieke patronen te vormen van loodrechte domeinen met periodieke domeinwanden. Dit is van belang, aangezien de domeinwanden van BiFeO3 een hogere geleiding vertonen, vergeleken met de domeinen zelf. Dunne films kunnen dus eigenlijk worden beschouwd als zelf geassembleerde nano-devicestructuren die gevormd worden door isolerende domeinen met een grootte van ongeveer 200 nm (500 keer kleiner dan een mensenhaar) en geleidende domeinwanden. We hebben de mechanismen onderzocht die geleiding in BiFeO3 domeinwanden veroorzaken met behulp van een microscoop met metalen elektrodenaald die op atomaire schaal het oppervlak aftast. We hebben ontdekt dat elektronen ter hoogte van de domeinwanden een verlaagde energiebarrière ondervinden, omdat juist daar een sterk tekort aan zuurstofatomen in het BiFeO3 rooster heerst. Dankzij dit inzicht zijn we in staat om het geleidingsniveau van domeinwanden sterk te beïnvloeden. Bovendien kunnen de domeinen zelf geleidend gemaakt worden door de elektrische polarisatie van BiFeO3 te schakelen (het zogenaamde ferro-elektrische weerstand schakelen). Dit effect maak BiFeO3 zeer geschikt voor permanente geheugenopslag.

AB - Geleidingseigenschappen BiFeO3 onderzocht In haar proefschrift behandelt Saeedeh Farokhipoor geleidingseigenschappen van BiFeO3, een materiaal waarvan typisch isolerend gedrag verwacht mag worden. Het onderzoek naar BiFeO3 staat recent in de belangstelling. Het is namelijk één van de weinige materialen die bij kamertemperatuur een sterke materiaalrespons vertoont in zowel een aangelegd elektrisch- als een magnetisch veld. BiFeO3 kan in dunne lagen onder roosterspanning worden gegroeid op een substraat met een kristalrooster dat een fractie groter of kleiner is. Zo kunnen kristaldomeinen (gebiedjes met verschillende kristaloriëntaties) op controleerbare wijze worden gevormd. Deze domeinen verminderen de elastische energie door specifieke patronen te vormen van loodrechte domeinen met periodieke domeinwanden. Dit is van belang, aangezien de domeinwanden van BiFeO3 een hogere geleiding vertonen, vergeleken met de domeinen zelf. Dunne films kunnen dus eigenlijk worden beschouwd als zelf geassembleerde nano-devicestructuren die gevormd worden door isolerende domeinen met een grootte van ongeveer 200 nm (500 keer kleiner dan een mensenhaar) en geleidende domeinwanden. We hebben de mechanismen onderzocht die geleiding in BiFeO3 domeinwanden veroorzaken met behulp van een microscoop met metalen elektrodenaald die op atomaire schaal het oppervlak aftast. We hebben ontdekt dat elektronen ter hoogte van de domeinwanden een verlaagde energiebarrière ondervinden, omdat juist daar een sterk tekort aan zuurstofatomen in het BiFeO3 rooster heerst. Dankzij dit inzicht zijn we in staat om het geleidingsniveau van domeinwanden sterk te beïnvloeden. Bovendien kunnen de domeinen zelf geleidend gemaakt worden door de elektrische polarisatie van BiFeO3 te schakelen (het zogenaamde ferro-elektrische weerstand schakelen). Dit effect maak BiFeO3 zeer geschikt voor permanente geheugenopslag.

KW - Proefschriften (vorm)

KW - Epitaxie

KW - Atomic Force Microscopy

KW - Röntgendiffractie

KW - Domein (wiskunde)

KW - IJzeroxide

KW - Ferro-elektrische materialen

KW - Bismuthoxide

KW - Elektrische geleiding

KW - grenslagen en dunne lagen

KW - elektronisch transport in gecondenseerde materie

KW - elektronenstructuur en elektrische eigenschappen van oppervl

M3 - Thesis fully internal (DIV)

SN - 9789036761376

PB - s.n.

CY - Groningen

ER -

ID: 14432222