Skip to ContentSkip to Navigation
Over onsNieuws en agendaNieuwsberichten

Phase-change thin films. Resistance switching and isothermal crystallization studies

03 oktober 2008

Promotie: R. Pandian, 14.45 uur, Academiegebouw, Broerstraat 5, Groningen

Proefschrift: Phase-change thin films. Resistance switching and isothermal crystallization studies

Promotor(s): prof.dr. J.T.M. de Hosson

Faculteit: Wiskunde en Natuurwetenschappen

 

Nieuwe materialen voor data-opslag

Materialen die faseveranderingen kunnen ondergaan, zijn interessant bij het ontwikkelen van nieuwe elektronische onderdelen die in computers en andere elektronische apparatuur gebruikt worden voor stabiele data-opslag.

Opslag van data eist niet alleen een hoge dichtheid, maar ook een hoge data-overdracht. Het proefschrift van Ramanathaswamy Pandian gaat over de registratie van de elektrische gegevens door onderzoek aan faseveranderingen in dunne GeSbTe-films met twee soorten omschakelmechanismen. Een is gebaseerd op amorf-kristallijn fase transformatie en de andere op de vaste-stof elektrolytische gedrag van de films. Met behulp van de atomaire kracht microscopie techniek zijn de mechanismen overtuigend aangetoond op de nanometer schaal. Bovendien is uitgebreid onderzoek uitgevoerd naar de omschakelkenmerken zoals de omkeerbaarheid, aantal omkeringen en responstijd met behulp van een prototype condensatorachtige geheugen cellen.

Ramanathaswamy Pandian (India, 1978) studeerde aan de Bharathiar University. Het onderzoek werd uitgevoerd bij de afdeling Applied Physics van het Zernike Institute for Advanced Materials van de RUG.

 

Laatst gewijzigd:15 september 2017 15:37
printOok beschikbaar in het: English

Meer nieuws